Wolfspeed 推出了 SiC 电源设备技术的最新突破：业界首款 900 V MOSFET 平台。全新的 900V 平台经过优化、可用于高频功率电子应用、包括可再生能源反相器、电动车充电系统和三相工业电源、可实现更小、更高效率的下一代功率转换系统、并且成本与基于硅的解决方案相当。
新低阻抗封装，带驱动器源
高速切换、低电容
高阻塞电压，具有低 RDS（接通）
可耐受雪崩
快速固有二极管，具有低反向恢复（反向恢复电荷）
易于并行且易于驱动
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| 最大漏源电压 | 900 V |
| 封装类型 | TO-263 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 7 |
| 最大漏源电阻值 | 280 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 最小栅阈值电压 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V，18 V |
| 宽度 | 9.12mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9.5 常闭 @ 4/15V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 10.23mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | SiC |
