行业领先 16mΩ RDS （ ON ）
整个工作温度范围内的 1200V VBR （最小值） [-40˚C – 175˚C]
+15V 栅极驱动电压
低阻抗封装、带 Kelvin 源引脚
>漏极和离子源之间有 8mm 的爬电 / 间隙
高速切换，具有低输出电容
具有低反向恢复（ QRR ）的快速内在二极管
易于并行且易于驱动
应用
太阳能和能量存储系统
电动车充电
不间断电源 (UPS)
电机控制和驱动
开关模式电源（ SMPS ）
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 115 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 16 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.6V |
| 最小栅阈值电压 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 556 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V 、 19 V |
| 晶体管材料 | SiC |
| 典型栅极电荷@Vgs | 211 NC @ 4/15V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 16.13mm |
| 宽度 | 5.21mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
