Infineon IQE065N10NM5ATMA1 MOSFET
产品详细信息
英飞凌 PQFN 3.3x3.3 封装的 OptiMOSTM 5 100 V 源极底置功能具有 100 V 电压和 6.5 m Ω 的低导通电阻。它具有多种优势，如热能力增强、功率密度大或可改善布局。此外，高效率更、低有源冷却要求和有效的热管理布局都是系统级的优势。
印刷电路板损耗降低
可实现最高功率密度和性能
| 属性 |
数值 |
| 通道类型 |
N |
| 最大连续漏极电流 |
85 A |
| 最大漏源电压 |
100 V |
| 封装类型 |
PQFN |
| 安装类型 |
表面贴装 |
