采用紧凑纤薄封装，体积小
低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 3.7 mΩ（典型值）
低泄漏电流：IDSS = −10 μA（最大值）(VDS = −30 V)
增强型模式
Vth = −0.8 至 −2.0 V（VDS = −10 V，ID = −0.5 mA）
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 34 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 6.7 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V |
| 最大功率耗散 | 45 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -25 V，+20 V |
| 宽度 | 5mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 115 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 6mm |
