Infineon IPB017N10N5 是 optiMOS 100V 功率 MOSFET ，采用 D2PAK 7 引脚封装， RDS (接通) 低 22%。它专门设计用于电信块中的同步整流，包括 OR-ING ，热插拔和电池保护，以及用于服务器电源应用。
经优化可用于同步整流
特别适用于高切换频率
输出电容下降多达 44%
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 180 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | TO-263 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 7 + Tab |
| 最大漏源电阻值 | 2.2 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.8V |
| 最小栅阈值电压 | 2.2V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 168 nC @ 10 V |
| 长度 | 10.31mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 宽度 | 11.05mm |
