Infineon coolsic ™ 1200 v 、 350 mΩ sic mosfet 采用 TO247 31-3 封装，基于最先进的 trench 半导体工艺，经过优化可将性能与可靠性相结合。与基于硅（ si ）的传统开关（如沟器和 mosfet ）相比、 sic mosfet 具有一系列优势。这些包括 1200 v 开关中可见的最低栅极电荷和设备电容水平、内部防换向主体二极管无反向恢复损耗、不受温度影响的低切换损耗和无阈值通态特性。
同类最佳的开关和传导损耗
基准高阈值电压、 vth > 4 v
0V 关闭栅极电压、用于轻松简单的栅极驱动
宽栅 - 源电压范围
坚固且低损耗主体二极管、额定用于硬换向
温度独立关闭开关损耗
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 4.7 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | PG-TO247-3 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 350 米Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
