Infineon ® 小型信号晶体管 p 通道增强模式场效应晶体管（场效应晶体管），具有 20V 最大漏极源电压，采用了采用了第 23 封装类型。英飞凌公司的高度创新的最佳 mos ™系列产品包括 p 沟道功率高的功率半导体器件。这些产品始终满足电源系统设计关键规格中高品质和性能要求、如通态电阻和品质因数特性。BSS84P 是 p 通道增强模式 mosfet 、采用小型表面安装封装、具有卓越的切换性能。此产品特别适用于低电压、低电流应用。
增强型模式
逻辑电平
雪崩等级
快速切换
dv/dt 额定值
无铅引线电镀
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 620 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SC-59 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.8. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
