台湾积体电路 TSM650N15CS RLG MOSFET
产品详细信息
| 属性 |
数值 |
| 通道类型 |
N |
| 最大连续漏极电流 |
9 A |
| 最大漏源电压 |
150 V |
| 封装类型 |
SOP |
| 安装类型 |
表面贴装 |
| 引脚数目 |
8 |
| 最大漏源电阻值 |
80 mΩ |
| 通道模式 |
增强 |
| 最大栅阈值电压 |
4V |
| 最小栅阈值电压 |
2V |
| 最大功率耗散 |
12.5 W |
| 晶体管配置 |
单 |
| 最大栅源电压 |
±20 V |
| 每片芯片元件数目 |
1 |
| 最高工作温度 |
+150 °C |
| 宽度 |
3.9mm |
| 长度 |
4.85mm |
| 典型栅极电荷@Vgs |
24 nC @ 6 V、37 nC @ 10 V |
