属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 27.6 A |
最大漏源电压 | 650 V |
封装类型 | TO-220 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 110 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 3.5V |
最小栅阈值电压 | 2.5V |
最大功率耗散 | 230 W |
最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
宽度 | 4.45mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |
最高工作温度 | +150 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 75 nC @ 10 V |
长度 | 10.16mm |