Infineon 600V coolmos ™ C7 超结( sj ) mosfet 系列的关闭损耗( e oss )比 coolmos ™ cp 减少 ∼50% ,在 pfc 、 ttf 和其他硬切换拓扑结构中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7 还是高功率密度充电器设计的完美匹配。
减小开关损耗参数,如 Q G、C oss、E oss
同类最佳的品质因数 Q G*R DS(接通)
增加切换频率
全球最佳的 R(接通)*A
坚固的体二极管
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 22 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | D2PAK (TO-263) |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 99 米Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |