Infineon IPTC012N08NM5 是 OptiMOS 5 功率 MOSFET 的一部分，采用直插式 TOP 侧冷却封装，可提供卓越的热性能。此创新型封装结合 OptiMOS 5 技术的主要功能，使杰出产品具有 80 V 电压以及 300 A 的高电流额定值，适用于高功率密度设计。通过 TOP 侧面冷却设置，排放器暴露在封装表面， 95% 的散热可直接提升到散热器，与收费封装相比， RthJA 性能提高 20% ， RthJC 性能提高 50%。通过 Toll 或 D2PAK 等底部散热封装，热量通过印刷电路板散热到散热器，导致高功率损耗。
负支架
在冷却系统中节省成本
提高系统效率，延长电池寿命
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 396 a |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | PG-HDSOP-16. |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 16 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0012 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.8V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
