RD3H080SP 是具有低接通电阻的功率 MOSFET，适用于开关应用。
低接通电阻。
快速切换速度。
驱动电路可以很简单。
易于并行使用。
无铅电镀
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 8 A |
| 最大漏源电压 | 45 V |
| 封装类型 | TO-252 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 2 + Tab |
| 最大漏源电阻值 | 147 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9 nC @ 5 V |
| 宽度 | 6.4mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 6.8mm |
