the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the 英飞凌公司的最佳 mos ™ 5 power emos 逻辑电平非常适合该设备的低栅极电荷（ q g ）可减少切换损耗、而不会影响传导损耗。改进的品质因数允许在高切换频率下操作。此外、逻辑电平驱动器提供低栅极阈值电压（ v gs （ the ））、允许将这些电压以 5V 的速度驱动、并直接从微控制器驱动。
低 r ds （ on ）、采用小型封装
低栅极电荷
降低输出电荷
逻辑电平兼容性
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 47 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SuperSO8 5x6 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0134. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
