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Toshiba SSM6N43FU MOSFET

订 货 号:SSM6N43FU      品牌:东芝_Toshiba

库存数量:10             品牌属性:进口

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公司基本资料信息







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Toshiba SSM6N43FU MOSFET
产品详细信息

1.5 V 驱动
低接通电阻 RDS(接通)= 1.52 Ω(最大值)(@VGS = 1.5 V)
RDS(接通)= 1.14 Ω(最大值)(@VGS = 1.8 V)
RDS(接通)= 0.85 Ω(最大值)(@VGS = 2.5V)
RDS(接通)= 0.66 Ω(最大值)(@VGS = 4.5V)
RDS(接通)= 0.63 Ω(最大值)(@VGS = 5.0V)


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 500 mA
最大漏源电压 20 V
封装类型 SOT-363
安装类型 表面贴装
引脚数目 6
最大漏源电阻值 1.52 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1V
最小栅阈值电压 0.35V
最大功率耗散 200 mW
最大栅源电压 ±10 V
每片芯片元件数目 2
宽度 1.25mm
最高工作温度 +150 °C
长度 2mm
典型栅极电荷@Vgs 1.23 nC @ 4 V
暂无

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