商用功率 MOSFET 采用 3x3 mm 扁平引线封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。
特点
低接通电阻
低栅极电荷
体积小巧 (3 x 3 mm)
优点
最大限度地减少传导损耗
最大限度地减少切换损耗
紧凑设计
应用
反向器电池保护
电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等)
同步整流
最终产品
电动机控制
电池管理
开关电源
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 68 A |
最大漏源电压 | 80 V |
封装类型 | WDFN |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 9.5 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大功率耗散 | 107 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | ±20 V |
宽度 | 3.15mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型栅极电荷@Vgs | 3.6 nC @ 10 V |
长度 | 3.15mm |
最高工作温度 | +175 °C |