on ON Semiconductor 系列 150V n 通道 mv mosfet 采用 Advanced 工艺生产、并采用屏蔽栅极技术。此过程已经过优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用同类最佳的软主体二极管保持优异的切换性能。
vgs 时最大 rds （接通） = 11.5 m m m m m 、 10V id 为 35A
低传导损耗
vgs 时最大 rds （接通）为 13.2mohm 、 id 为 18A 8V
qrr 比其他 mosfet 供应商低 50%
降低切换噪声 /emi
MSL1 坚固封装设计
100% uil 测试
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 35 A |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 封装类型 | PQFN8 5x6 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 13.2 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
