UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。
在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 7 A |
最大漏源电压 | 500 V |
封装类型 | TO-220F |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 1 Ω |
通道模式 | 增强 |
最小栅阈值电压 | 3V |
最大功率耗散 | 40 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
晶体管材料 | Si |
宽度 | 4.7mm |
长度 | 10.16mm |
最高工作温度 | +150 °C |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V |