PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | 11 A |
最大漏源电压 | 20 V |
封装类型 | SOIC |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 14 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大功率耗散 | 2.5 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -12 V、+12 V |
宽度 | 4mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |
最高工作温度 | +150 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 43 nC @ 4.5 V |
长度 | 5mm |