工业功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。
体积小巧 (5x6 mm)
低 RDS(接通)
低 QG 和电容
紧凑设计
最大限度地减少传导损耗
最大限度地减少驱动器损耗
应用
切换电源
电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等)
48V 系统
电池管理和保护
最终产品
电动机控制
DC/DC 转换器
负载开关
同步整流
电池组和 ESS
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 57 A |
最大漏源电压 | 80 V |
封装类型 | DFN |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 5 |
最大漏源电阻值 | 15.3 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大功率耗散 | 73 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | ±20 V |
最高工作温度 | +175 °C |
宽度 | 6.1mm |
典型栅极电荷@Vgs | 16 nC @ 10 V |
长度 | 5.1mm |
每片芯片元件数目 | 1 |