on ON Semiconductor 单 n 通道 mosfet 的漏极到源电压额定值为 150V 、连续漏极电流额定值为 187A 。此设备无铅、无卤素 / 无 bfr 且符合 rohs 标准。
漏极到电源接通电阻为 4.4 m 欧姆
低 rds （接通）可最大程度减少传导损耗
低 qg 和电容、可最大程度减少驱动器损耗
降低切换噪声/EMI
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 187 A |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 封装类型 | Mo - 299A |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 4.4 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
