on ON Semiconductor 单 n 通道 mosfet 的漏极到源电压额定值为 150V 、连续漏极电流额定值为 187A 。此设备无铅、无卤素 / 无 bfr 且符合 rohs 标准。
漏极到电源接通电阻为 4.4 m 欧姆
低 rds (接通)可最大程度减少传导损耗
低 qg 和电容、可最大程度减少驱动器损耗
降低切换噪声/EMI
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 187 A |
最大漏源电压 | 150 V |
封装类型 | Mo - 299A |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 4.4 mΩ |
最大栅阈值电压 | 4.5V |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |