英飞凌 OptiMOS™ 5 N 沟道功率 MOSFET 具有 60 V 漏源电压（VDS）和 101 A 漏电流（ID）。逻辑电平非常适合无线充电、适配器和电信应用。设备的低栅极充电（Qg）可减少切换损耗，不会影响传导损耗。品质因数改进，允许在高切换频率下操作。此外，逻辑电平驱动器提供低栅极阈值电压（V GS（th）），允许在 5 V 条件下直接从微控制器驱动 MOSFET。
经优化，适合高性能 SMPS（例如，同步录音）
100% 通过雪崩测试
卓越的热阻
N 沟道
针对目标应用，符合 JEDEC1 标准
无铅引线镀层
符合 RoHS
符合 IEC61249-2-21 无卤素
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 101 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | PG-TDSON |
| 安装类型 | 表面安装器件 |
