碳化硅 (SIC) MOSFET 采用全新的技术,与硅相比,它具有卓越的切换性能和更高的可靠性。此外、低电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。因此,系统的优势包括最高效率、 Faster operation frequency 、增加功率密度、降低 EMI 和减小系统大小。
1200V 等级
最大 RDS (接通) = 110mΩ Ω ( Vgs = 20V 时)、 ID = 20A
高速开关和低电容
器件不含铅
应用
PFC
OBC
最终产品
用于 EV/PHEV 的汽车直流 - 直流转换器
汽车车载充电器
汽车辅助电机驱动
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 44 A |
最大漏源电压 | 1200 V |
封装类型 | TO-247 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 162 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4.3V |
最小栅阈值电压 | 1.8V |
最大功率耗散 | 348 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -15 V 、 +25 V |
最高工作温度 | +175 °C |
晶体管材料 | SiC |
长度 | 15.87mm |
宽度 | 4.82mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型栅极电荷@Vgs | 56 常闭 @ 20 V |