碳化硅 (SIC) MOSFET 采用全新的技术，与硅相比，它具有卓越的切换性能和更高的可靠性。此外、低电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。因此，系统的优势包括最高效率、 Faster operation frequency 、增加功率密度、降低 EMI 和减小系统大小。
1200V 等级
最大 RDS （接通） = 110mΩ Ω （ Vgs = 20V 时）、 ID = 20A
高速开关和低电容
器件不含铅
应用
PFC
OBC
最终产品
用于 EV/PHEV 的汽车直流 - 直流转换器
汽车车载充电器
汽车辅助电机驱动
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 44 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 162 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.3V |
| 最小栅阈值电压 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 348 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -15 V 、 +25 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 晶体管材料 | SiC |
| 长度 | 15.87mm |
| 宽度 | 4.82mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 56 常闭 @ 20 V |
