英飞凌 OptiMOS™ 5 N 沟道 MOSFET 具有 80 V 漏源电压（VDS）和 73 A 漏电流（ID）。与前一代相比，导通电阻 Rds(ON) 减少 43%，特别适用于高切换频率、调节器等。专为电信和服务器电源的同步整流设计。此外，还可用于其他工业应用，如太阳能、低电压驱动器和适配器。
特别适用于高频切换和同步录音
优化技术，用于直流/直流转换器
极佳的栅极充电 x 接通电阻产品（FOM）
非常低的接通电阻
100% 雪崩测试
N 沟道，正常电平
针对目标应用，符合 JEDEC1
无铅引线镀层
符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
扩展的源互连，提高焊接接头可靠性
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 73 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | PG-TDSON |
| 安装类型 | 表面安装器件 |
