Littlefuse IXTT220N20X4HV MOSFET 设计采用最新的超接点技术，适用于高效电源应用。它们提供 TO-247 和 TO-268HV 封装。它们可同时提供更低的 RDS (接通) 和更低的栅极和输出电荷，从而在给定频率下实现更高效的切换。
低栅极电荷
低 RDS（接通）
低 RthJC
工作温度为 175°C
高耐雪崩等级 (900mJ - 1J)
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 220 A |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 封装类型 | 至 -268-3 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0055 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 每片芯片元件数目 | 3 |
