Infineon IMW120R030M1HXKSA1 MOSFET 与传统基于硅 (Si) 的开关 (如 IGBT 和 MOSFET) 相比, SiC MOSFET 具有一系列优势。这些包括 1200 V 开关中的最低栅极电荷和器件电容水平,内部防换向主体二极管无反向恢复损耗,温度独立的低切换损耗和无阈值通态特性。
非常低的切换损耗
无阈值开启状态特性
宽栅源电压范围
基准栅极阈值电压, VGS (th) = 4.5 V
0V 关闭栅极电压,用于轻松简单的栅极驱动
完全可控制 dV/dt
坚固的主体二极管,用于硬换向
温度无关的关闭开关损耗
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 56 A |
最大漏源电压 | 1200 V |
封装类型 | PG-TO247-3 |
安装类型 | 通孔 |