2N6661 是一款增强型（常闭）晶体管，采用垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。垂直 DMOS FET 非常适合各种需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。
无次级击穿
低功率驱动要求
易于并联
低 CISS 和快速切换速度
极好的热稳定性
一体式源极-漏极二极管
高输入阻抗和高增益
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 350 mA |
| 最大漏源电压 | 90 V |
| 封装类型 | TO-39 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 5 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V |
| 最大功率耗散 | 6.25 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 9.398 Dia.mm |
