Toshiba TPH1R306PL,L1Q(M MOSFET
产品详细信息
Toshiba 硅 n 通道 mosfet 具有高速开关特性。它主要用于高效直流 - 直流转换器、开关电压调节器和电动机驱动器。
低漏 - 源导通电阻 1.0 m ？
存储温度 -55°c 至 175 ° c
| 属性 |
数值 |
| 通道类型 |
N |
| 最大连续漏极电流 |
100 A |
| 最大漏源电压 |
60 V |
| 封装类型 |
SOP |
| 引脚数目 |
8 |
| 最大漏源电阻值 |
2.3. Ω |
| 通道模式 |
增强 |
| 最大栅阈值电压 |
2.5V |
| 每片芯片元件数目 |
1 |
| 晶体管材料 |
硅 |
