on ON Semiconductor 30V 功率 mosfet 使用 433 a 的漏极电流、具有单个 n−沟道。它改进了浪涌电流管理、还提高了系统效率。
高级 Advanced (高级软件包)( 5x6mm
超低 rds (接通)、可提高系统效率
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 433 A |
最大漏源电压 | 30 V |
封装类型 | DFN |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 5 |
最大漏源电阻值 | 0.00062 Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 2.2V |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |