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Fairchild Semiconductor FDS6898AZ_F085 MOSFET

订 货 号:FDS6898AZ_F085      品牌:IRC

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Fairchild Semiconductor FDS6898AZ_F085 MOSFET
产品详细信息

PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

SEMis PowerTrench ® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅电荷,小反向恢复和软反向恢复主体二极管,有助于在交流 / 直流电源中快速切换同步整流。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 9.4 A
最大漏源电压 20 V
封装类型 SOIC
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 21 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 0.5V
最大功率耗散 2 W
晶体管配置 隔离式
最大栅源电压 -12 V、+12 V
每片芯片元件数目 2
晶体管材料 Si
长度 4.9mm
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 4.5 V
宽度 3.9mm
暂无

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