超 FET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高电压超级结点 (SJ) MOSFET这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗,提供卓越的切换性能,并能承受极端的 dv/dt 速率。因此,超 FET III MOSFET 非常适合各种功率系统,以实现小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主体二极管优化反向恢复性能,可消除额外元件,提高系统可靠性。
TJ = 150 °C 时为 700 V
超低栅极电荷(典型 Qg = 35 nC)
低有效输出电容(典型 COSS (EFF.)=467 pF )
极佳的主体二极管性能(低 Qrr、坚固的主体二极管)
优化的电容
典型值 RDS (on) =161M Ω
优点
低温运行时系统可靠性更高
低切换损耗
在 LLC 和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
应用
电信
云系统
工业
最终产品
电信电源
服务器电源
EV 充电器
太阳能/UPS
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 20 A |
最大漏源电压 | 650 V |
封装类型 | TO-247 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 190 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 5V |
最小栅阈值电压 | 3V |
最大功率耗散 | 162 瓦 |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | ±30 V |
宽度 | 4.82mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 10 V |
长度 | 15.87mm |
最高工作温度 | +150 °C |