功率 MOSFET 是采用微处理技术的低接通电阻设备，适用于广泛的应用。广泛的产品系列包含紧凑型、高功率型和复合型，可满足市场中的各种需求。
4 V 驱动类型
N 通道中等功率 MOSFET
快速切换速度
小型表面安装封装
无铅
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 14 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 10.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -1 V |
| 宽度 | 4.05mm |
| 长度 | 5.2mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 150 nC @ 10 V，9.2 nC @ 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
