Infineon 设计是一项革命性的高电压功率功率功率功率半导体技术、符合超级连接( sj )原理、由 Infineon 技术开创。600V cool mos ™ C7 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和高级创新。600V C7 是使用 rds (接通) * a 低于 1Ohm * mm² 的第一项技术。
超快主体二极管
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 31.2 A |
最大漏源电压 | 650 V |
封装类型 | Pg 至 263 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.11. Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4.5V |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | 硅 |