SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗,提供卓越的切换性能,并能承受极端的 dv/dt 速率。因此,SuperFET III MOSFET 非常适合用于各种电源系统,以实现小型化和更高的效率。SuperFET III FRFET® MOSFET 中主体二极管的反向恢复性能经过优化设计,无需额外器件,并能提高系统可靠性。
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 36 A |
最大漏源电压 | 650 V |
封装类型 | TO-220 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 95 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 5V |
最小栅阈值电压 | 3V |
最大功率耗散 | 272 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | ±30 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
长度 | 10.67mm |
宽度 | 4.7mm |
最高工作温度 | +150 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 66 nC @ 10 V |