ON Semiconductor 系列 SUPERFET V MOSFET 是 ON Semiconductor 的第五代高电压超−Ω 接点 (SJ) MOSFET 系列。SUPERFET V 可提供−Ω−类 FOM (RDS (接通)·QG 和 RDS (接通)·EOSS) 中最佳的 Ω ，不仅可提高大负载，还可提高轻负载效率。600 V SUPERET V 系列通过减少传导和切换损耗提供设计优势，同时支持 120 V/ns 的极端 MOSFET DVD/dt 额定值和 50 V/ns 的高主体二极管 DVD/dt 额定值。因此， SUPERFET V MOSFET Easy Drive 系列结合了出色的切换性能，同时不影响硬切换和软切换拓扑的易用性。它有助于管理 EMI 问题，并通过出色的系统效率简化设计实施。

超低栅极电荷 (典型值 QG= 48 nC)
低切换损耗
与时间相关的低输出电容 (典型值 Coss (tr) = 642 pF)
低切换损耗
优化的电容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
650 V @ TJ = 150°C
典型值 RDS (接通) = 79.2 m Ω
经过 100% 雪崩测试
符合 RoHS
内部栅极电阻： 6.9 Ω