SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy Drive 系列有助于管理电磁干扰问题，更易于设计实施。
TJ = 150 oC 时为 700 V
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 439 pF）
超低栅极电荷（典型 Qg = 46 nC）
优化的电容
典型 RDS（接通）= 105 mΩ
内部栅极电阻：0.5 Ω
优点：
低温运行时系统可靠性更高
低切换损耗
低切换损耗
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
应用：
计算
消费品
工业
最终产品：
笔记本电脑/台式电脑/游戏控制台
电信/服务器
UPS/太阳能
LED 照明/镇流器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 24 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 125 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 181 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 4.82mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 46 nC @ 10 V |
| 长度 | 15.87mm |
