Microchip Technology 通孔安装 N 通道 MOSFET 是一款新型老化产品、在 5ohms 栅源电压下具有 10V 的漏源电阻。它具有 60V 的放电源电压和 30V 的最大栅源电压。它具有 310mA 的连续漏电流和 1W 的最大功耗。 此晶体管的最小和最大驱动电压分别为 5V 和 10V 。MOSFET 是一种增强模式（通常关闭）晶体管、采用垂直 DMOS 结构和经过充分验证的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。该设备是所有 MOS 结构的一个重要特征、不会出现热失控和热诱发的二次击穿。此垂直 DMOS FET 已针对更低的开关和传导损耗进行了优化。MOSFET 可提供卓越的效率以及较长的使用寿命、而不会影响性能或功能。
•易于并行
• 极好的热稳定性
•无需二次故障
•高输入阻抗和高增益
•集成源排放二极管
•低 CISS 和快速切换速度
•低功率驱动要求
•工作温度范围在 -55°C 和 150°C 之间
•放大器
• 转换器
•驱动器（继电器、液压锤、电磁阀、灯、存储器、显示器、双极晶体管等）
•电机控制
•电源电路
• 开关
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• JEDEC
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 310 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-92 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 7.5 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 5.08mm |
| 宽度 | 4.06mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
