ON Semiconductor MOSFET - N 通道屏蔽栅极功率沟道 MOSFET ，具有 150 V 的漏极至源电压
优化的切换性能
VGS = mΩ V ， ID = 75.4 A 时，最大 RDS (接通) = 10.9 m Ω
业内最低的 Qrr 和最柔软的主体二极管，可实现卓越的低噪声切换
Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50%
高效率，具有更低的切换峰值和 EMI
降低切换噪声/EMI
改进的切换 FOM ，尤其是 Qgd
经过 100% UIL 测试
无需或更少的减震器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 75.4 A |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 封装类型 | D²PAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0109. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
