onsemi NTTFD9D0N06HLTWG MOSFET
产品详细信息
on ON Semiconductor dual n 沟道 mosfet 在双封装中包含两个专用的 n 沟道 mosfet 。开关节点已内部连接、可轻松放置和路由同步降压转换器。它可用于计算、通信、通用负载点应用。
低电感封装
降低切换损耗
符合 RoHS
属性 |
数值 |
通道类型 |
N |
最大连续漏极电流 |
38 A |
最大漏源电压 |
60 V |
封装类型 |
WQFN12 |
引脚数目 |
12 |
最大漏源电阻值 |
9 Ω |
通道模式 |
增强 |
最大栅阈值电压 |
2V |
每片芯片元件数目 |
1 |