Infineon AIMW120R060M1HXKSA1 MOSFET
产品详细信息
用于汽车系列的 Infineon CoolSiC MOSFET 专为混合动力和电动车辆中的当前和未来板载充电器和直流 - 直流应用而开发。它具有 36 A 漏极电流。
提高效率
启用更高频率
功率密度增加
降低冷却力
| 属性 |
数值 |
| 通道类型 |
N |
| 最大连续漏极电流 |
36 A |
| 最大漏源电压 |
1200 V |
| 封装类型 |
PG-TO247-3-41 |
| 安装类型 |
通孔 |
| 引脚数目 |
3 |
| 最大漏源电阻值 |
0.06 Ω |
| 通道模式 |
增强 |
| 最大栅阈值电压 |
4.5V |
| 每片芯片元件数目 |
1 |
| 晶体管材料 |
SiC |
