on ON Semiconductor iii 系列 n 沟道 800V mosfet 针对回飞转换器的主开关进行了优化、凭借优化的设计、可在不影响 emi 性能的情况下降低开关损耗和外壳温度。此外、内部齐纳二极管显著提高了 esd 能力。由于其在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、 atx 电源和工业电源）中的出色性能、此新系列使应用变得更加高效、紧凑、冷却和坚固。
连续漏极电流额定值为 13A
漏极到电源接通电阻额定值为 360mohm
超低栅极电荷
输出电容中存储的能量低
通过 100% 雪崩测试
封装类型为 220F
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 13 A |
| 最大漏源电压 | 800 V |
| 封装类型 | TO-220F |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 360 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.8V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
