Infineon mos ™设计是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术，它是根据超级连接（ sj ）原理设计的，由 Infineon 技术公司率先开发的。cool mos ™ P6 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和一流的创新。提供的器件具有快速切换 sj mosfet 的所有优点、同时不会降低易用性。极低的切换和传导损耗使切换应用更高效、更紧凑、更轻、更凉爽。
mosfet dv/dt 稳定增加
由于 fom rdson*qg 和 eoss 极低的损耗
非常高的换向坚固性
无铅镀层无卤模制化合物
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12.5 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | Pg/hsof － 8 － 3 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.19. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.6V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
