the Infineon coolmos 是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术、它根据超级接线（ sj ）原理设计、由 Infineon 技术开创。coolmos ™ C7 系列将领先的 sj mosfet 供应商的经验与高级创新相结合。该产品组合提供开关超级结点式高电压器件的所有优势、可提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和卓越的可靠性。
mosfet dv/dt 稳定增加
得益于同类最佳的 fomrds(on) *eoss 和 rds(on) *qg. ，效率更高
同类最佳 rds （接通） / 封装
易于使用 / 驱动
无铅电镀、无卤模制化合物
符合 STD20 andJESD22 （ j - ）工业级应用标准
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 24 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 95 个月 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
