NCP81080 是高性能双 MOSFET（高侧和低侧）栅极驱动器 IC，设计用于驱动以高达 180 V 运行的 MOSFET。NCP81080 集成了驱动器 IC 和限幅二极管，提供 0.5 A 源电流/0.8 A 汇电流驱动容量。集成了防跨导电路，可防止直通问题。高侧和低侧驱动器可独立控制。
驱动高侧和低侧的两个 N 通道 MOSFET
集成限幅二极管，用于高侧栅极驱动
引导程序电源电压范围高达 180 V
0.5 A 源电流、0.8 A 汇电流输出容量
以 19 ns/17 ns 的典型上升/下降时间驱动 1nF 负载
宽电源电压范围：5.5 V 至 20 V
2 ns 延时匹配（典型值）
用于驱动电压的欠电压锁定 (UVLO) 保护
工作接点温度范围：-40°C 至 140°C
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大栅阈值电压 | 5.4V |
| 最小栅阈值电压 | 3.4V |
| 长度 | 5mm |
| 宽度 | 4mm |
| 最高工作温度 | +170 °C |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
