汽车功率 MOSFET 采用 DPAK 封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。支持 mosfet 和 ppap 、适用于需要增强板级可靠性的汽车应用。
体积小巧 (5 x 6 mm),可实现紧凑设计
低 RDS(接通),可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
LFPAK4 封装、工业标准
支持 PPAP
这些设备无铅
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 36 A |
最大漏源电压 | 60 V |
封装类型 | LFPAK |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 4 |
最大漏源电阻值 | 21.5 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 2V |
最小栅阈值电压 | 1.2V |
最大功率耗散 | 37 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | ±20 V |
长度 | 5mm |
宽度 | 4.25mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
最高工作温度 | +175 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 9.7 nC @ 10 V |