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Infineon IPG20N06S4L11AATMA1 MOSFET

订 货 号:IPG20N06S4L11AATMA1      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon IPG20N06S4L11AATMA1 MOSFET
产品详细信息

the Infineon 系列新的最佳功率是 T2 、它具有一系列节能 mosfet 晶体管、减少了 CO2 、并配有电动驱动器。新的最佳 mos T2 产品系列扩展了现有的最佳 mos -t 和最佳 mos 系列。双 n 通道逻辑电平 - 增强模式可用于自动光学检验( oi )。提供高性能封装、可应对最具有挑战性的应用、在有限空间内提供完全灵活性。这些 Infineon 产品旨在满足甚至超出能效和功率密度要求。

产品符合 aec Q101 标准
100% 雪崩测试
它具有 175°c 工作温度


属性 数值
最大连续漏极电流 20 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 Pg/tdson - 8-10
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 0.0112 o
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.2V
每片芯片元件数目 2
晶体管材料 Si
暂无

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