Infineon IMW120R090M1HXKSA1 MOSFET 采用 TO247-3 封装，基于最先进的沟道半导体工艺构建，经过优化可将性能与可靠性相结合。与基于传统硅 (Si) 的开关 (如 IGBT 和 MOSFET) 相比， SiC MOSFET 具有一系列优势。这些包括 1200 V 开关中的最低栅极电荷和器件电容水平，内部防换向主体二极管无反向恢复损耗，温度独立的低切换损耗和无阈值通态特性。
非常低的切换损耗
无阈值开启状态特性
宽栅源电压范围
基准栅极阈值电压， VGS (th) = 4.5 V
0V 关闭栅极电压，用于轻松简单的栅极驱动
完全可控制 dV/dt
坚固的主体二极管，用于硬换向
温度无关的关闭开关损耗
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 26 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | PG-TO247-3 |
| 安装类型 | 通孔 |
