PowerTrench® MOSFET,P 通道逻辑电平,-40 V,-50 A,13.5 mΩ
VGS = -10 V、ID = 50 A 时,典型 RDS(接通)= 11 mΩ
VGS = -10V、ID = -50 A 时,典型 Qg(tot) = 28 nC
UIS 能力
用于自动光学检测 (AOI) 的可润侧翼
应用
汽车发动机控制
传动系统管理
电磁阀和电动机驱动器
电子转向
集成启动器/交流发电机
配电架构和 VRM
用于 12 V 系统的主开关
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | 50 A |
最大漏源电压 | 40 V |
封装类型 | Power56 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 13.5 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 3V |
最小栅阈值电压 | 1V |
最大功率耗散 | 75 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | ±16 V |
长度 | 5.1mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
最高工作温度 | +175 °C |
宽度 | 5.9mm |
典型栅极电荷@Vgs | 28 nC @ 10 V |