on ON Semiconductor n 沟道 1200V mosfet 采用全新技术、与硅相比、具有卓越的切换性能和更高的可靠性。此外、低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。因此、系统优势包括最高效率、 Faster 操作频率、增加功率密度、降低 emi 和减小系统尺寸。
连续漏极电流额定值为 31A
漏极到电源接通电阻额定值为 110mohm
高速切换和低电容
100% uil 测试
低有效输出电容
封装类型为: to - 247 - 3ld
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 31 A |
最大漏源电压 | 1200 V |
封装类型 | TO-247 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 110 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4.5V |
晶体管材料 | SiC |
每片芯片元件数目 | 1 |