Infineon mos ™设计是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术,它是根据超级连接( sj )原理设计的,由 Infineon 技术公司率先开发的。最新的 cool mos ™ P7 是一款经过优化的平台,专为消费市场中的成本敏感型应用而定制,如充电器、适配器、照明、电视等
产品验证符合dec 标准
低切换损耗( eoss )
集成 esd 保护二极管
极佳的热行为
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 6 A |
最大漏源电压 | 700 V |
封装类型 | Pg 至 251 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.9. Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 3.5V |
晶体管材料 | 硅 |
每片芯片元件数目 | 1 |