Infineon mos ™ P7 系列的设计为 800V 超级连接技术设定了新的基准,它将杰出的性能与最先进的易用性结合在一起,这是由英飞凌 18 年来领先的超级连接技术创新所产生的。
产品验证符合dec 标准
低切换损耗( eoss )集成 esd 保护二极管
极佳的热行为
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 2.5 A |
最大漏源电压 | 800 V |
封装类型 | PG-SOT223 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.0024 Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 3.5V |
晶体管材料 | 硅 |
每片芯片元件数目 | 1 |